[实用新型]发光二极管芯片有效
申请号: | 201621126240.7 | 申请日: | 2016-10-14 |
公开(公告)号: | CN206293462U | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 金艺瑟;金京完;禹尚沅;金智惠 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 杨文娟,臧建明 |
地址: | 韩国京畿道安山市檀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本实用新型提供一种发光二极管芯片。发光二极管芯片包括基板;第一导电型半导体层,配置在基板上;网,配置到第一导电型半导体层上,包括活性层及第二导电型半导体层;绝缘层,覆盖第一导电型半导体层及网,包括使第一导电型半导体层露出的至少一个第一开口部、及位于网的上部的第二开口部;第一焊垫电极,配置到绝缘层的上部,通过第一开口部电连接到第一导电型半导体层;及第二焊垫电极,配置到绝缘层的上部,通过第二开口部电连接到电连接到第二导电型半导体层;且绝缘层的第一开口部包括由第一焊垫电极覆盖的第一区域、及露出到第一焊垫电极的外部的第二区域。本实用新型可提高产品的耐久性,可在产品内均匀地安装多个芯片。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】:
一种发光二极管芯片,其特征在于包括:基板;第一导电型半导体层,配置在所述基板上;网,配置到所述第一导电型半导体层上,包括活性层及第二导电型半导体层;绝缘层,覆盖所述第一导电型半导体层及所述网,包括使所述第一导电型半导体层露出的至少一个第一开口部及位于所述网的上部的第二开口部;第一焊垫电极,配置到所述绝缘层的上部,通过所述第一开口部电连接到所述第一导电型半导体层;及第二焊垫电极,配置到所述绝缘层的上部,通过所述第二开口部电连接到所述第二导电型半导体层,且所述绝缘层的所述第一开口部包括由所述第一焊垫电极覆盖的第一区域、及露出到所述第一焊垫电极的外部的第二区域。
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