[实用新型]一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器有效

专利信息
申请号: 201621155126.7 申请日: 2016-10-31
公开(公告)号: CN206497266U 公开(公告)日: 2017-09-15
发明(设计)人: 李萍;范宝泉 申请(专利权)人: 天津领芯科技发展有限公司
主分类号: G02F1/035 分类号: G02F1/035;G02F1/03
代理公司: 天津市三利专利商标代理有限公司12107 代理人: 张义
地址: 300000 天津市北辰区北辰经济*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 实用新型公开了一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器,包括石英基底晶片、铌酸锂薄膜、光学波导、金属薄膜电极以及金属封装管壳。本实用新型的有益效果如下1)缩短了弯曲波导长度和行波电极长度,去掉了直流偏移补偿电极,实现了铌酸锂QPSK光调制器的小型化;2)采用低介电常数的石英材料作为铌酸锂单晶薄膜的基底晶片,实现了微波折射率与光波折射率的良好匹配,提高了铌酸锂QPSK光调制器的调制带宽;3)去掉了直流偏移补偿电极,降低了铌酸锂QPSK光调制器的信号处理复杂性;4)铌酸锂薄膜晶圆的利用率更高,降低了铌酸锂薄膜QPSK光调制器的制造成本。
搜索关键词: 一种 铌酸锂 薄膜 qpsk 调制器
【主权项】:
一种铌酸锂薄膜QPSK光调制器,其特征在于,包括:光学波导(2)、金属薄膜电极(3)、石英基底晶片(5‑1)、铌酸锂薄膜(5‑2),所述石英基底晶片(5‑1)为光学级、双面抛光的石英晶片,其厚度为0.1mm至2mm,所述铌酸锂薄膜(5‑2)为光学级、具有单晶结构、切向为X切Y传、厚度为0.1μm至20μm,所述光学波导(2)为钛扩散波导,其扩散宽度为0.1μm至10μm,扩散深度为0.1μm至10μm,所述金属薄膜电极(3)具有行波结构、厚度在0.1μm至30μm;所述铌酸锂薄膜QPSK光调制器还包括用于进行铌酸锂薄膜QPSK光调制器封装的金属封装管壳,所述金属封装管壳包括:金属封装管壳壳体(6‑1)、射频同轴连接器(6‑2)、相位调制器引脚(6‑3)、光纤模块(6‑4)、光纤(6‑5),射频同轴连接器(6‑2)装载于金属封装管壳壳体(6‑1)的外壁上,射频同轴连接器(6‑2)的管脚通过键合引线与金属薄膜电极(3)连接,相位调制器引脚(6‑3)通过键合引线与金属薄膜电极(3)连接,铌酸锂薄膜(5‑2)的光学波导(2)的输入端与输出端分别与光纤模块(6‑4)耦合粘接,光纤(6‑5)从金属封装管壳壳体(6‑1)两侧穿出。
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