[实用新型]生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱有效
| 申请号： | 201621156338.7 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN206225392U | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 李国强;杨美娟;林云昊;李媛 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于纳米阵列的多量子阱的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱。生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN纳米柱模板，生长在纳米柱模板上的AlN/GaN超晶格层,生长在AlN/GaN超晶格层上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱。本实用新型所选择的衬底材料成本低廉，所制备的纳米柱阵列尺寸可控，取向均一，所获得的多量子阱的缺陷密度低、电学和光学性能优良。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 铝酸锶钽镧 衬底 ingan gan 纳米 多量 | ||
【主权项】：
生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：包括La0.3Sr1.7AlTaO6衬底，生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN纳米柱模板，生长在纳米柱模板上的AlN/GaN超晶格层,生长在AlN/GaN超晶格层上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱。
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