[实用新型]生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱有效
| 申请号： | 201621156607.X | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN206834194U | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 李国强;王海燕;杨为家 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L21/02;H01L33/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于LED材料的技术领域，公开了生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱。所述生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，生长在非极性GaN纳米柱模板层中纳米柱阵列上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱。所述非极性GaN纳米柱模板层包括非极性GaN缓冲层和非极性GaN纳米柱阵列。本实用新型生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱能够提高材料的光电性能，提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 ligao2 衬底 极性 ingan gan 多量 纳米 | ||
【主权项】：
生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱，其特征在于：包括LiGaO2衬底，生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN纳米柱模板层，生长在非极性GaN纳米柱模板层中纳米柱阵列上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱。
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