[实用新型]电容式接近传感器和三维电容式传感器有效

专利信息
申请号: 201621157255.X 申请日: 2016-10-25
公开(公告)号: CN206862376U 公开(公告)日: 2018-01-09
发明(设计)人: 太田垣贵康;后藤贤介 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: G01D5/24 分类号: G01D5/24;G01B7/00;G01V3/08
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 金晓
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及电容式接近传感器和三维电容式传感器。电容式接近传感器包括感测元件;电连接到所述感测元件的集成电路;以及电压源,所述电压源耦接到第一外部电容器、第二外部电容器、第一可变电容器和第二可变电容器。通过本实用新型,可以获得改进的电容式接近传感器和三维电容式传感器。
搜索关键词: 电容 接近 传感器 三维
【主权项】:
一种电容式接近传感器,其特征在于,所述电容式接近传感器包括:感测元件,所述感测元件包括:第一电极和第二电极,其中所述第一电极和所述第二电极形成第一感测电容器;第一参比电容器;第一外部电容器,所述第一外部电容器在第一节点处与所述第一感测电容器串联耦接;以及第二外部电容器,所述第二外部电容器在第二节点处与所述参比电容器串联耦接;电连接到所述感测元件的集成电路,所述集成电路包括:第一可变电容器,所述第一可变电容器与所述第一外部电容器并联耦接;第二可变电容器,所述第二可变电容器与所述第二外部电容器并联耦接;以及差分放大器;以及电压源,所述电压源耦接到所述第一外部电容器、所述第二外部电容器、所述第一可变电容器和所述第二可变电容器。
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