[实用新型]一种粉末静电喷枪驱动电路有效
申请号: | 201621157723.3 | 申请日: | 2016-10-24 |
公开(公告)号: | CN206250956U | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 苏强;刘吉林 | 申请(专利权)人: | 中山方圆谷涂装科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;B05B5/053 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人: | 伍传松 |
地址: | 528401 广东省中*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种粉末静电喷枪驱动电路,包括移相谐振全桥控制器、全桥MOSFET输出级、高压包电路,该全桥MOSFET输出级由控制极均与移相谐振全桥控制器连接的第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET组成,其中,第一MOSFET与第三MOSFET的漏级皆与电源+VOUT连接,第一MOSFET的源级与第二MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路其中一输入端GUN‑OUTA连接,第三MOSFET的源级与第四MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路另一输入端GUN‑OUTB连接。因选用高度集成移相谐振全桥IC,具有体积小,功率大,效率高,运行可靠。 | ||
搜索关键词: | 一种 粉末 静电 喷枪 驱动 电路 | ||
【主权项】:
一种粉末静电喷枪驱动电路,其特征在于:包括移相谐振全桥控制器、全桥MOSFET输出级、高压包电路,该全桥MOSFET输出级由控制极均与移相谐振全桥控制器连接的第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET组成,其中,第一MOSFET与第三MOSFET的漏级皆与电源+VOUT连接,第一MOSFET的源级与第二MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路其中一输入端GUN‑OUTA连接,第三MOSFET的源级与第四MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路另一输入端GUN‑OUTB连接,第二MOSFET与第四MOSFET的源级分别接地GND,所述高压包的输入端GUN‑OUTA和输入端GUN‑OUTB还与移相谐振全桥控制器连接。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置