[实用新型]一种粉末静电喷枪驱动电路有效

专利信息
申请号: 201621157723.3 申请日: 2016-10-24
公开(公告)号: CN206250956U 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 苏强;刘吉林 申请(专利权)人: 中山方圆谷涂装科技有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;B05B5/053
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 代理人: 伍传松
地址: 528401 广东省中*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种粉末静电喷枪驱动电路,包括移相谐振全桥控制器、全桥MOSFET输出级、高压包电路,该全桥MOSFET输出级由控制极均与移相谐振全桥控制器连接的第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET组成,其中,第一MOSFET与第三MOSFET的漏级皆与电源+VOUT连接,第一MOSFET的源级与第二MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路其中一输入端GUN‑OUTA连接,第三MOSFET的源级与第四MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路另一输入端GUN‑OUTB连接。因选用高度集成移相谐振全桥IC,具有体积小,功率大,效率高,运行可靠。
搜索关键词: 一种 粉末 静电 喷枪 驱动 电路
【主权项】:
一种粉末静电喷枪驱动电路,其特征在于:包括移相谐振全桥控制器、全桥MOSFET输出级、高压包电路,该全桥MOSFET输出级由控制极均与移相谐振全桥控制器连接的第一MOSFET、第二MOSFET、第三MOSFET和第四MOSFET组成,其中,第一MOSFET与第三MOSFET的漏级皆与电源+VOUT连接,第一MOSFET的源级与第二MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路其中一输入端GUN‑OUTA连接,第三MOSFET的源级与第四MOSFET的漏级连接且二者连接点与高压包电路另一输入端GUN‑OUTB连接,第二MOSFET与第四MOSFET的源级分别接地GND,所述高压包的输入端GUN‑OUTA和输入端GUN‑OUTB还与移相谐振全桥控制器连接。
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