[实用新型]一种用于晶体硅的制绒槽有效
申请号: | 201621162507.8 | 申请日: | 2016-10-25 |
公开(公告)号: | CN206541840U | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 邹帅;王栩生;邢国强 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 | 代理人: | 陆金星 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种用于晶体硅的制绒槽,包括沿晶体硅的操作方向依次排列的金属催化刻蚀槽、多孔硅清洗槽和扩孔槽。本实用新型制得的绒面结构在硅片表面形成紧密且均匀排布的类倒金字塔结构和正金字塔结构,且这些金字塔结构都是纳米级的;实验证明本实用新型的绒面结构可以有效降低前表面的反射率,使反射率最低降低至2%,取得了意想不到的效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 晶体 制绒槽 | ||
【主权项】:
一种用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:包括依次排列的金属催化刻蚀槽(1)、多孔硅清洗槽(2)和扩孔槽(3);所述多孔硅清洗槽为耐碱腐蚀的清洗槽;所述扩孔槽之后还依次包括第二多孔硅清洗槽(5)、第二金属离子清洗槽(6)和氧化层清洗槽(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621162507.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电缆沟铺设结构
- 下一篇:矿井通讯线路保护装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的