[实用新型]一种用于晶体硅的制绒槽有效

专利信息
申请号: 201621162507.8 申请日: 2016-10-25
公开(公告)号: CN206541840U 公开(公告)日: 2017-10-03
发明(设计)人: 邹帅;王栩生;邢国强 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙)32251 代理人: 陆金星
地址: 215129 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种用于晶体硅的制绒槽,包括沿晶体硅的操作方向依次排列的金属催化刻蚀槽、多孔硅清洗槽和扩孔槽。本实用新型制得的绒面结构在硅片表面形成紧密且均匀排布的类倒金字塔结构和正金字塔结构,且这些金字塔结构都是纳米级的;实验证明本实用新型的绒面结构可以有效降低前表面的反射率,使反射率最低降低至2%,取得了意想不到的效果。
搜索关键词: 一种 用于 晶体 制绒槽
【主权项】:
一种用于晶体硅的制绒槽,其特征在于:包括依次排列的金属催化刻蚀槽(1)、多孔硅清洗槽(2)和扩孔槽(3);所述多孔硅清洗槽为耐碱腐蚀的清洗槽;所述扩孔槽之后还依次包括第二多孔硅清洗槽(5)、第二金属离子清洗槽(6)和氧化层清洗槽(7)。
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