[实用新型]晶圆均匀加热装置有效
| 申请号： | 201621164118.9 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN206194704U | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 胡东辉;郭剑飞;陈林;姚建强;杨富池;李旭明;邢耀淇;赵轶 | 申请（专利权）人： | 杭州长川科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市滨江区江淑*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及集成电路分选领域，目的是提供一种晶圆均匀加热装置。一种晶圆均匀加热装置，包括吸盘，加热器；所述的吸盘设有若干个同轴设置的功率密度区域；位于外侧的功率密度区域的功率密度大于位于内侧的功率密度区域的功率密度；加热器包括上端与吸盘下端贴合且连接的安装盘，由发热线盘绕构成且位于安装盘下侧的发热盘，压住发热盘且与吸盘下端连接的压盘；发热盘的相邻两圈发热线的间距由中心到外周逐渐变小；发热盘的功率由中心到外周逐渐变大。该晶圆均匀加热装置加热时吸盘中心的温度与外侧的温度均匀，吸盘表面温差小于设定温度的±1℃，提高集成电路晶圆高温测试精度。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 加热 装置 | ||
【主权项】：
一种晶圆均匀加热装置，包括：吸盘，加热器；其特征是，所述的吸盘设有若干个同轴设置的功率密度区域；位于外侧的功率密度区域的功率密度大于位于内侧的功率密度区域的功率密度；加热器包括：上端与吸盘下端贴合且连接的安装盘，由发热线盘绕构成且位于安装盘下侧的发热盘，压住发热盘且与吸盘下端连接的压盘；发热盘的相邻两圈发热线的间距由中心到外周逐渐变小；发热盘的功率由中心到外周逐渐变大。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
