[实用新型]释放焊垫等离子体的PID测试结构有效
| 申请号： | 201621184400.3 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN206422042U | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 牛刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种释放焊垫等离子体的PID测试结构，包括位于同一层且平行排列的多个晶体管器件，晶体管器件的衬底电连至第一测试焊垫，晶体管器件的源极电连至第二测试焊垫，晶体管器件的漏极电连至第三测试焊垫，晶体管器件的栅极与不同层的金属线一一对应电连接；每一层的金属线分支成第一子金属线和第二子金属线，且第一子金属线与第二子金属线通过顶层金属层电连接在一起，其中第一子金属线电连接至各自层的天线端，第二子金属线均电连接至第四测试焊垫；位于最底层的第一子金属线的一端电连接与其同层的第二子金属线，另一端电连接一保护二极管。本实用新型可以释放大块测试焊垫上的等离子体，减小其对PID测试结构的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 释放 等离子体 pid 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种释放焊垫等离子体的PID测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括：位于同一层且平行排列的多个晶体管器件，所述晶体管器件的衬底电连接至第一测试焊垫，所述晶体管器件的源极电连接至第二测试焊垫，所述晶体管器件的漏极电连接至第三测试焊垫，所述晶体管器件的栅极与不同层的金属线一一对应电连接；每一层的金属线分支成第一子金属线和第二子金属线，且所述第一子金属线与所述第二子金属线通过顶层金属层电连接在一起，其中第一子金属线电连接至各自层的天线端，第二子金属线均电连接至第四测试焊垫；位于最底层的所述第一子金属线的一端电连接与其同层的所述第二子金属线，另一端电连接一保护二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621184400.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
