[实用新型]准推挽源级跟随器有效
| 申请号： | 201621186520.7 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN206211973U | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张南阳;张仁富;李文亮 | 申请（专利权）人： | 无锡思泰迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙)32227 | 代理人： | 顾吉云 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及模拟集成电路技术领域，具体为一种准推挽源级跟随器，能够实现在不同的电源电压下电路带宽的稳定性，其包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5和晶体管M6，特征在于，所述晶体管M5的漏极与所述晶体管M6的漏极相连后连接电流管M7的源极，所述电流管M7的栅极连接参考电压Vref2、漏极接地。 | ||
| 搜索关键词： | 准推挽源级 跟随 | ||
【主权项】：
一种准推挽源级跟随器，其包括晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4、晶体管M5和晶体管M6，所述晶体管M1的源极和所述晶体管M2的源极相连后连接电源VDD，所述晶体管M1的栅极和所述晶体管M2的栅极均连接输入电压Vin，所述晶体管M1的漏极连接所述晶体管M3的源极、所述晶体管M5的源极，所述晶体管M2的漏极连接所述晶体管M4的源极、所述晶体管M6的源极，所述晶体管M3的栅极和所述晶体管M4的栅极相连后连接参考电压Vref1，所述晶体管M3的漏极和所述晶体管M4的漏极相连后接地，所述晶体管M5的源极与所述晶体管M6的栅极相连，所述晶体管M5的栅极与所述晶体管M6的源极相连，所述晶体管M5的源极与所述晶体管M6的源极为输出端Vout，其特征在于，所述晶体管M5的漏极与所述晶体管M6的漏极相连后连接电流管M7的源极，所述电流管M7的栅极连接参考电压Vref2、漏极接地。
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