[实用新型]湿式蚀刻装置有效
申请号: | 201621186842.1 | 申请日: | 2016-10-28 |
公开(公告)号: | CN206293413U | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 黄荣龙;吕峻杰;陈滢如 | 申请(专利权)人: | 盟立自动化股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本实用新型所揭为一种湿式蚀刻装置,所述湿式蚀刻装置包括一腔体、若干蚀刻液喷嘴一承载平台以及一导引装置。所述腔体包括一进气口以及一出气口。所述若干蚀刻液喷嘴设置于所述腔体中以对一基板进行蚀刻。所述承载平台包括一本体以及若干平台喷嘴。所述本体设置于所述基板下方。所述若干平台喷嘴贯穿所述本体,一液体透过所述若干平台喷嘴提供一液体浮力以承载所述基板。所述导引装置包括若干导引口使所述基板移动,进而解决所述基板的移动问题。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 装置 | ||
【主权项】:
一种湿式蚀刻装置,其特征在于,包括:一腔体,包括:一进气口,用于导入一蚀刻气体;以及一出气口,用于导出所述蚀刻气体;若干蚀刻液喷嘴,设置于所述腔体中,以对一基板进行蚀刻;一承载平台设置于所述腔体中,包括:一本体,设置于所述基板下方;以及若干平台喷嘴,贯穿所述本体,一液体透过所述若干平台喷嘴提供一向上的液体浮力用以抵销所述基板向下的重力以承载所述基板;以及一导引装置设置于所述乘载平台的一侧,包括若干导引口,藉由所述若干导引口导引所述液体进而使所述基板移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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