[实用新型]一种TDDB测试结构有效
| 申请号： | 201621192272.7 | 申请日： | 2016-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN206134675U | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 王锴;杨丽娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种TDDB测试结构，包括衬底；多个有源区，形成于衬底上；浅沟槽隔离区，位于有源区两侧，适于将相邻两个有源区隔离；多晶硅条，相互平行且呈指状分布，多晶硅条沉积于有源区和/或浅沟槽隔离区上；第一金属线层，位于多晶硅条上方，且与多晶硅条电连接；层间介质层，填充于多晶硅条与第一金属线层之间，适于隔离多晶硅条与第一金属线层。该TDDB测试结构包括了多晶硅条与浅沟槽隔离区、有源区之间各种位置关系的结构，真实反映芯片层间介质层的厚度和平坦性，提高测试结果的合理性和准确性，且可以避免一定方向上的对准偏移问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tddb 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种TDDB测试结构，其特征在于，包括：衬底；多个有源区，形成于所述衬底上；浅沟槽隔离区，位于所述有源区两侧，适于将相邻两个所述有源区隔离；多晶硅条，相互平行且呈指状分布，所述多晶硅条沉积于所述有源区和/或所述浅沟槽隔离区上；第一金属线层，位于所述多晶硅条上方，且与所述多晶硅条电连接；层间介质层，填充于所述多晶硅条与所述第一金属线层之间，适于隔离所述多晶硅条与所述第一金属线层。
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