[实用新型]一种新型超结逆导IGBT结构有效
| 申请号： | 201621232477.3 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN206412364U | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 徐承福;白玉明;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及高压IGBT器件终端技术领域，尤其是一种新型超结逆导IGBT结构，包括N‑型基区、P型基区、N+集电区、集电极、P柱、和背部P柱，其中P柱为多个且分布在N‑型基区的内两侧，背部P柱为两个且位于集电极的上表面，两个背部P柱分别位于N‑型基区的底部两侧。本实用新型的新型超结逆导IGBT结构集成了超结MOSFET结构和逆导结构，可以得到相应的超结MOSFET结构和逆导结构的优点，同时两个背部P柱可以替代背P+层发射区，衬底的背部P柱可以用键合工艺的方法加工，无需采用背面光刻和P+注入的方法来形成逆导型IGBT，降低了超结逆导IGBT结构整体制造工艺难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 超结逆导 igbt 结构 | ||
【主权项】：
一种新型超结逆导IGBT结构，其特征在于：包括：N‑型基区(1)；P型基区(2)，所述P型基区(2)为两个且分别位于所述N‑型基区(1)的左上部和右上部；N+集电区(4)，所述N+集电区(4)为两个且分别位于两个所述P型基区(2)的上表面内；集电极(10)，所述集电极(10)位于所述N‑型基区(1)的下表面；P柱(3)，所述P柱(3)为多个且分布在所述N‑型基区(1)的内两侧；背部P柱(9)，所述背部P柱(9)为两个且位于所述集电极(10)的上表面，两个所述背部P柱(9)分别位于所述N‑型基区(1)的底部两侧。
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