[实用新型]一种MOSFET驱动电路有效
| 申请号： | 201621235899.6 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN206135865U | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 尹波 | 申请（专利权）人： | 广州视源电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)11535 | 代理人： | 刘元霞,张祖萍 |
| 地址： | 510530 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种MOSFET驱动电路，该MOSFET驱动电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，其中，第一三极管和第三三极管为PNP型三极管，第二三极管和第四三极管为NPN型三极管。第二三极管和第三三极管组成图腾柱，第一三极管和第四三极管为MOSFET提供驱动电流，逻辑电路供电电压通过第一电阻和第四电阻分压，第四电阻的端电压作为基准电压，提供PWM电压基准。本实用新型采用分立器件组合电路，解决了小幅度的PWM信号驱动高门限栅极电压值的MOSFET驱动问题，电路简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】：
一种MOSFET驱动电路，其特征在于，该MOSFET驱动电路包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，其中，第一三极管和第三三极管为PNP型三极管，第二三极管和第四三极管为NPN型三极管；第一三极管的集电极与功率电路供电电压连接，发射极同时与第三电阻的一端和第四三极管的集电极连接，基极与第二三极管的集电极连接；第二三极管的发射极同时与第二电阻的一端以及第三三极管的发射极连接，基极同时与第一电阻的一端、第四电阻的一端以及第三三极管的基极连接；第三三极管的集电极与第四三极管的基极连接；第四三极管的发射极接地；第一电阻的另一端连接逻辑电路供电电压；第二电阻的另一端连接PWM的信号输入端；第三电阻的另一端连接N沟道耗尽型MOSFET的栅极；第四电阻的另一端接地。
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