[实用新型]一种集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT有效
| 申请号： | 201621244090.X | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN206412366U | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 徐承福;白玉明;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙)32231 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及IGBT制造技术领域，尤其是一种集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT，包括N‑型基区、位于N‑型基区上表面的三个多晶栅、位于N‑型基区上表面的P型基区、位于P型基区上表面的N+集电区、位于N‑型基区下表面的N+缓冲层和位于N+缓冲层下表面的背P+发射区，其中N+集电区上表面设有发射极，发射极连接的接触金属深入到对应的P型基区的下表面且其端部由P型半导体包覆形成肖特基二极管。本实用新型的集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT在IGBT中集成一个肖特基二级管，可以解决IGBT器件关断时的空穴和电子复合速率慢而导致开关慢的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 肖特基 二极管 新型 沟槽 igbt | ||
【主权项】：
一种集成肖特基二极管的新型沟槽IGBT，其特征在于：包括：N‑型基区(1)；位于所述N‑型基区(1)上部的三个多晶栅(7)；位于所述N‑型基区(1)上表面的P型基区(2)，所述P型基区(2)为两个且分别位于两个相邻的多晶栅(7)之间；位于所述P型基区(2)上表面的N+集电区(5)，所述N+集电区(5)为两个且分别位于两个相邻的多晶栅(7)之间；位于所述N+集电区(5)上表面的发射极(9)，所述发射极(9)为两个且分别位于两个N+集电区(5)上表面，其中一个所述发射极(9)连接的接触金属深入到对应的P型基区(2)的下表面并与N‑型基区(1)形成肖特基接触，另外一个所述发射极(9)连接的接触金属深入到对应的P型基区(2)的下表面且其端部由P型半导体包覆形成肖特基二极管；位于所述N‑型基区(1)下表面的N+缓冲层(3)；位于所述N+缓冲层(3)下表面的背P+发射区(4)。
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