[实用新型]一种植锡装置有效
申请号: | 201621264178.8 | 申请日: | 2016-11-21 |
公开(公告)号: | CN206271662U | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 黄勇 | 申请(专利权)人: | 黄勇 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/68 |
代理公司: | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司11514 | 代理人: | 赵永辉 |
地址: | 529600 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型属于IC加工技术领域,提供了一种植锡装置,包括底板、面板、磁铁和植锡钢网,所述底板上部设有第一凹形槽,所述第一凹形槽的底部设有定位槽,所述定位槽的底部设有第一安放槽,所述磁铁安装于所述第一安放槽内部;所述面板上部设有第二凹形槽,所述植锡钢网和所述第二凹形槽相匹配,所述面板和所述第一凹形槽相匹配;进行植锡工作时,所述植锡钢网安装于所述第二凹形槽内,所述面板安装于所述第一凹形槽内,所述IC放置于所述第二安放槽内,且所述植锡钢网的透锡网孔、所述IC以及所述磁铁上下对应。本实用新型提供的一种植锡装置,避免了人眼手工对位,有效的提高了生产或者维修的效率。 | ||
搜索关键词: | 种植 装置 | ||
【主权项】:
一种植锡装置,其特征在于:包括底板、面板、磁铁和植锡钢网,所述底板上部设有第一凹形槽,所述第一凹形槽采用一侧壁开口的方形槽结构,所述第一凹形槽的底部设有定位槽,所述定位槽和所述第一凹形槽形状相同;所述定位槽的底部设有第一安放槽,所述第一安放槽采用方形槽结构且四角为圆弧形设置,所述第一安放槽的内壁均设有两个弧形凸起,两个所述弧形凸起对称分布于所述第一安放槽的侧壁中心线两侧;所述磁铁安装于所述第一安放槽内部;所述面板上部设有第二凹形槽,且所述第二凹形槽采用一侧壁开口的方形槽结构,所述第二凹形槽的边角均采用圆弧形设置,所述第二凹形槽底部设有用以放置IC的第二安放槽,所述第二安放槽的形状与所述IC匹配,所述第二安放槽的下部设有若干通孔,所述通孔呈矩阵式排列;所述植锡钢网和所述第二凹形槽相匹配,所述面板和所述第一凹形槽相匹配;当进行植锡工作时,所述植锡钢网安装于所述第二凹形槽内,所述面板安装于所述第一凹形槽内,所述IC放置于所述第二安放槽内,且所述植锡钢网的透锡网孔、所述IC以及所述磁铁上下对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造