[实用新型]碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构及离子植入机有效
| 申请号： | 201621265438.3 | 申请日： | 2016-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN206210747U | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 潘俊斌;余庆璋 | 申请（专利权）人： | 建泓科技实业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/16 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 郑裕涵 |
| 地址： | 中国台湾台北市南*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本创作提供一种碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构，包含一主体层及一碳化钨镀膜层，其中主体层为含钨金属的化合物或纯钨金属以及设在主体层之上的碳化钨镀膜层。本创作的碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构特别适合应用在离子植入机内具有高度离子轰击部位的组件，并在含有氟性化合物气体或含氧化物气体的高温工作环境(500‑900℃)下，如离子腔、离子腔出口等，其使用寿命为现有技术现有技术的2‑5倍。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化 镀膜 离子 植入 结构 | ||
【主权项】：
一种碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构，其特征在于，所述碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构包括：一主体层，所述主体层为含钨金属的化合物或纯钨金属；以及一碳化钨镀膜层，所述碳化钨镀膜层是设在所述主体层之上。
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