[实用新型]太阳能电池及太阳能电池模块有效
申请号: | 201621266900.1 | 申请日: | 2016-11-24 |
公开(公告)号: | CN207250530U | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 布莱恩·E·哈丁;艾瑞克·索尔;迪埃·苏赛诺;杰西·J·欣李奇;黄钰淳;林于唐;史蒂芬·T·康纳;丹尼尔·J·赫尔布什;克雷格·H·彼得斯 | 申请(专利权)人: | 普兰特光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人: | 王莹,王朋飞 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及太阳能电池及太阳能电池模块。所述太阳能电池模块包含太阳能电池;所述太阳能电池具有硅基层,其后表面具有一部分上的铝粒子层和一部分上的后标志层。后标志层包括,基层上的改良铝粒子层,以及直接在改良铝粒子层上的改良插层。改良插层具有远离硅基层的可软焊表面。改良铝粒子层包括铝粒子和来自改良插层的至少一种材料。改良插层包括贵金属,以及铋、硼、铟、铅、硅、碲、锡、钒、锌及其组合的任意。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 模块 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:硅基层,其具有前表面和后表面;至少一个前介质层,其直接在硅基层的前表面的至少一部分上;多条精细网格线,其在硅基层的前表面的一部分上;至少一个前汇流层,其与多条精细网格线的至少一者电接触;硅基层后表面至少一部分上的铝粒子层,铝粒子层包括铝粒子;以及硅基层后表面一部分上的后标志层,其中后标志层包括:硅基层后表面一部分上的改良铝粒子层;以及直接在改良铝粒子层的至少一部分上的改良插层,其中改良插层具有可软焊表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普兰特光伏有限公司,未经普兰特光伏有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621266900.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种晶圆级功率半导体器件
- 下一篇:一种3D打印的太阳能电池板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的