[实用新型]高电子迁移率晶体管HEMT器件有效
| 申请号： | 201621274262.8 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN206412367U | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | F·尤克拉诺;A·齐尼 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,吕世磊 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及一种高电子迁移率晶体管HEMT器件。该HEMT器件包括半导体主体，包括异质结结构；在半导体主体上的电介质层；栅极电极；漏极电极，面向栅极电极的第一侧；和源极电极，面向栅极电极的与第一侧相对的第二侧；辅助沟道层，其在异质结结构之上在栅极电极与漏极电极之间延伸，与漏极电极电接触并且与栅极电极相距一定距离，并且形成用于在源极电极与漏极电极之间流动的电荷载流子的附加导电路径。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 hemt 器件 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管HEMT器件，其特征在于，包括：半导体主体，包括异质结结构，所述异质结结构形成所述HEMT器件的主导电沟道；在所述半导体主体上的电介质层；在一个方向上彼此对齐的栅极电极、漏极电极和源极电极，其中所述漏极电极面向所述栅极电极的第一侧延伸，并且所述源极电极面向所述栅极电极的第二侧延伸，所述第二侧在所述一个方向上与所述第一侧相对；以及辅助沟道层，所述辅助沟道层在所述异质结结构之上在所述栅极电极与所述漏极电极之间延伸，与所述漏极电极电接触，与所述栅极电极间隔开，并且形成用于电荷载流子在所述源极电极与所述漏极电极之间流动的除了所述主导电沟道之外的导电路径。
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