[实用新型]一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件

摘要

本实用新型公开了一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件；该器件是在N+衬底两面同时形成上、下外延层N‑，在上、下外延层表面分别形成上、下肖特基势垒区，在上、下肖特基势垒区边缘，分别有上、下P+保护环，在上、下肖特基势垒区表面的金属层，分别形成器件的上、下阳极，在器件的上、下边缘，分别围绕高浓度的N型上、下掺杂环，上掺杂环连接的金属层形成器件的共阴极；一颗本实用新型的器件，可实现半桥整流功能，而传统的半桥整流器件，需要两颗传统的肖特基器件才能实现；同时，本实用新型器件的芯片与一颗传统的肖特基器件的芯片尺寸相当，因此与同规格传统的半桥整流肖特基器件比，可实现半桥整流肖特基器件的封装小型化。

主权项

一种适用小型化封装的半桥整流肖特基器件（0），其特征在于结构包括：在高掺杂的N+衬底硅片的两个表面上，双面外延形成上外延层N‑和下外延层N‑，在上外延层表面，有一个上肖特基势垒区（4），在上肖特基势垒区边缘处，有上P+保护环（3），在上P+保护环（3）外侧，有上厚绝缘介质层（2），上肖特基势垒区表面的金属层形成器件的上阳极（5）；上外延层的边缘，围绕一个扩通外延层，且与N+衬底层相交的高浓度的N型上掺杂环（1），高浓度的N型上掺杂环（1）表面有上薄绝缘介质层（6），高浓度的N型上掺杂环（1）上的金属层形成器件的共阴极（10）；在下外延层表面，有一个下肖特基势垒区（14），在下肖特基势垒区边缘处，有下P+保护环（13），在下P+保护环（13）外侧，有下厚绝缘介质层（12），下肖特基势垒区表面的金属层形成器件的下阳极（15）；下外延层的边缘，围绕一个扩通外延层，且与N+衬底层相交的高浓度的N型下掺杂环（11），高浓度的N型下掺杂环（11）表面有下薄绝缘介质层（16），下薄绝缘介质层（16）与下厚绝缘介质层（12），有台阶差。