[实用新型]两相流空泡分布二级管阵列传感器结构有效

专利信息
申请号: 201621320054.7 申请日: 2016-12-05
公开(公告)号: CN206235554U 公开(公告)日: 2017-06-09
发明(设计)人: 龚锦华;闫永恒;孙瑶;陈俊安 申请(专利权)人: 华北电力大学
主分类号: G01N21/17 分类号: G01N21/17
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102206 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 实用新型涉及一种两相流空泡分布二级管阵列传感器结构,包括基座组件、发光二极管及光电二极管。基座组件的上表面周向均布偶数个凹槽,发光二极管嵌设于凹槽中,光电二极管设置于相邻的凹槽之间的上边界平台上,发光二极管、光电二极管均与外接导线电性连接。本实用新型中发光二极管与光电二极管间隔排列形成一种非接触测量的方式。通过检测流体的光学特性的变化获得测量数据,同时不会改变流体本身参数,能避免环境噪声、气流等因素的干扰。本实用新型两相流空泡分布二级管阵列传感器结构中,采用的发光二极管、光电二极管耗电低、价格低廉、性价比高,且结构简单、使用灵活,具有广泛的应用前景。
搜索关键词: 两相 空泡 分布 二级 阵列 传感器 结构
【主权项】:
两相流空泡分布二级管阵列传感器结构,其特征在于,包括:基座组件,呈圆环状,其上表面周向均布偶数个凹槽;发光二极管,嵌设于所述凹槽中,用于发出光信号;光电二极管,设置于相邻的凹槽之间的上边界平台上,用于接收所述光信号;其中,所述发光二极管、光电二极管均与外接导线电性连接;所述发光二极管与光电二极管设置于同一高度,且所述发光二极管的发光中心轴平面与光电二极管的光信号接收平面垂直。
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