[实用新型]一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置有效
申请号: | 201621356584.7 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN206271672U | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 张明 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人: | 杨立 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本实用涉及一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其包括密闭的功能腔,功能腔内设置有温度可调节的加热器,加热器具有用于放置晶圆并对其进行加热的加热平台,功能腔位于加热平台上方的内腔壁上设置有可拆卸的铝制挡板,功能腔的下部设置有进气管,功能腔的上部设置有抽气管,抽气管通过管道与真空泵连通。本实用新型的有益效果是其专用于对晶圆铜膜层上氧化铜进行氨气处理,设置可拆卸的铝制挡板,其价格便宜,更换不会使成本较大增加;功能腔的上部连通有真空泵,铝挡板溅射形成的化合物可被真空泵抽走,不会污染下方的晶圆;同时,该装置也可用于铜膜层上hillock处理时的CVD退火处理,退火过程中有氮气保护,可保证晶圆不受损。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 晶圆铜膜 cvd 退火 氧化物 还原 装置 | ||
【主权项】:
一种用于晶圆铜膜CVD退火及氧化物还原的装置,其特征在于,包括密闭的功能腔(1),所述功能腔(1)内设置有温度可调节的加热器(2),所述加热器(2)具有用于放置晶圆并对其进行加热的加热平台,所述功能腔(1)位于加热平台上方的内腔壁上设置有可拆卸的铝制挡板(3),所述功能腔(1)的下部设置有用于向其内通入气体的进气管(5),所述功能腔(1)的上部连通设置有抽气管(4),所述抽气管(4)通过管道与真空泵(6)连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造