[实用新型]电迁移测试结构有效
| 申请号： | 201621360987.9 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN206332024U | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 单文光;宋永梁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种电迁移测试结构，包括待测金属结构，具有第一金属端、第二金属端；测试端子，包括第一测试端、第二测试端、第三测试端、第四测试端；测试保护单元，包括第一串联结构，所述第一串联结构包括一个二极管以及一个与所述二极管串联的多晶硅熔线；其中，所述第一测试端经由所述测试保护单元与所述第一金属端相连接，所述第三测试端与所述第一金属端相连接，所述第二测试端、所述第四测试端均与所述第二金属端相连接。通过上述方案的实施，降低了电迁移测试的成本以及测试的复杂度，不影响测试结果的精确度，其测试结构制造工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 迁移 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种电迁移测试结构，其特征在于，所述电迁移测试结构包括：待测金属结构，具有第一金属端、第二金属端；测试端子，包括第一测试端、第二测试端、第三测试端、第四测试端；测试保护单元，包括第一串联结构，所述第一串联结构包括一个二极管以及一个与所述二极管串联的多晶硅熔线；其中，所述第一测试端经由所述测试保护单元与所述第一金属端相连接，所述第三测试端与所述第一金属端相连接，所述第二测试端、所述第四测试端均与所述第二金属端相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621360987.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种散热效果较好的引线框架
- 下一篇：图像传感器
