[实用新型]一种复合多晶硅片有效
申请号: | 201621367011.4 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN206259366U | 公开(公告)日: | 2017-06-16 |
发明(设计)人: | 陈德榜 | 申请(专利权)人: | 温州海旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325000 浙江省温州市经*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及多晶硅片技术领域,尤其是一种复合多晶硅片,包括硅片本体,硅片本体包括P型多晶硅片和N型多晶硅片,P型多晶硅片和N型多晶硅片之间设置有导通层,所述P型多晶硅片上设置有减反射膜,所述P型多晶硅片的侧面设置有第一电极,所述N型多晶硅片的侧面设置有第二电极,所述P型多晶硅片的上表面均布有凹槽,所述减反射膜上设置有吸光膜,所述吸光膜上设置有钢化玻璃膜,所述N型多晶硅片底部设置有无机硅填料层,表面半球形的凹槽有聚光效果,设置有减反射膜和吸光膜,进一步减少反射,提高光电转换效率,硅片本体外设置有防护膜和钢化玻璃膜提高耐腐蚀性,设置有无机硅填料层提高硅片的强度。 | ||
搜索关键词: | 一种 复合 多晶 硅片 | ||
【主权项】:
一种复合多晶硅片,包括硅片本体(1),硅片本体(1)包括P型多晶硅片(4)和N型多晶硅片(7),P型多晶硅片(4)和N型多晶硅片(7)之间设置有导通层(5),所述P型多晶硅片(4)上设置有减反射膜(3),所述P型多晶硅片的侧面设置有第一电极(2),所述N型多晶硅片(7)的侧面设置有第二电极(6),其特征在于:所述P型多晶硅片的上表面均布有凹槽(41),所述减反射膜(3)上设置有吸光膜(11),所述吸光膜(11)上设置有钢化玻璃膜(10),所述N型多晶硅片底部设置有无机硅填料层(8)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于温州海旭科技有限公司,未经温州海旭科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201621367011.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池
- 下一篇:一种太阳能硅片计数及塑封一体化系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的