[实用新型]硅基APD/PIN低串扰自校正复合光电探测器有效
申请号: | 201621399187.8 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN206595260U | 公开(公告)日: | 2017-10-27 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工大华生电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;G01J1/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本实用新型公开了硅基APD/PIN低串扰自校正复合光电探测器,包括由四个象限元构成的线性光敏面象限组,在各象限之间制作环形二极管,象限组中心位置为圆形区域。象限组中的四个象限单元均为扇形且面积相等,圆形区域与四个扇形区域拼接在一起组成圆形的光敏面。本新型复合光电探测器结构设计合理,激光探测光敏面大,灵敏度高,信号输出一致性好,动态范围大。 | ||
搜索关键词: | 硅基 apd pin 低串扰 校正 复合 光电 探测器 | ||
【主权项】:
硅基APD/PIN低串扰自校正复合光电探测器的新型结构,该新型结构包括由四个形状为扇形的PIN光电二极管组成扇形象限组、圆形光电二极管,环形二极管组成以及象限间防电学和光学串扰的trench多晶槽结构,其特征是,所述扇形象限组成的四象限组PIN,形状为扇形且面积相等;象限组中心位置为圆形雪崩光电二极管APD;圆形雪崩光电二极管APD与扇形四象限PIN同心设置在一起构成圆形的光敏面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的