[实用新型]芯片电阻器有效
申请号: | 201621408061.2 | 申请日: | 2016-12-20 |
公开(公告)号: | CN206282674U | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 中尾光明 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01C17/242 | 分类号: | H01C17/242;H01C17/06;H01C7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 韩丁 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本实用新型的目的在于,提供一种能够抑制分割不良的发生的芯片电阻器。本实用新型的芯片电阻器具备绝缘基板;被设置于所述绝缘基板的上表面的两端部的一对上表面电极;被设置于所述绝缘基板的上表面,并且在所述一对上表面电极之间形成的电阻体;和被设置为至少覆盖所述电阻体的保护膜,所述保护膜由下层的第1保护膜、和上层的第2保护膜构成,所述第1保护膜设为与所述绝缘基板的宽度相同的宽度,所述第2保护膜不从所述绝缘基板露出,进一步地,使所述第1保护膜的厚度比所述第2保护膜的厚度薄,并且使所述第2保护膜的长度比所述第1保护膜的长度长。 | ||
搜索关键词: | 芯片 电阻器 | ||
【主权项】:
一种芯片电阻器,具备:绝缘基板;一对上表面电极,被设置于所述绝缘基板的上表面的两端部;电阻体,被设置于所述绝缘基板的上表面,并且在所述一对上表面电极之间形成;和保护膜,被设置为至少覆盖所述电阻体,所述保护膜由下层的第1保护膜、和覆盖所述第1保护膜的上层的第2保护膜构成,所述第1保护膜设为与所述绝缘基板的宽度相同的宽度,所述第2保护膜不从所述绝缘基板露出,进一步地,使所述第1保护膜的厚度比所述第2保护膜的厚度薄,并且使所述第2保护膜的长度比所述第1保护膜的长度长。
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