[实用新型]一种双面钝化太阳能电池有效
申请号: | 201621413065.X | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN206619599U | 公开(公告)日: | 2017-11-07 |
发明(设计)人: | 陈佳佳;张勤杰;傅建奇;姚雁林 | 申请(专利权)人: | 北京飞行博达电子有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/04 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 陶金龙,张磊 |
地址: | 101204 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种双面钝化太阳能电池,包括在硅衬底正面的绒面结构、N+层和正电极,在硅衬底背面的背面SiO2层、背面氮化硅钝化层、铝硅合金层和背电极,在绒面结构上表面从下往上依次具有正面SiO2层和正面氮化硅钝化层,正电极穿过正面氮化硅钝化层、正面SiO2层和绒面结构而进入N+层中;在硅衬底和背面SiO2层之间还具有P+层;背面SiO2层包括从上到下还依次堆叠的第一SiO2层和第二SiO2层;第一背电极穿过铝硅合金层进入到背面氮化硅钝化层中;第一SiO2层的厚度小于或等于第二SiO2层。本实用新型可以应用于P型硅衬底也可以应用于N型硅衬底,提高了对电池的钝化保护效果,提高了电池的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 双面 钝化 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种双面钝化太阳能电池,包括硅衬底,在硅衬底正面的绒面结构,在绒面结构底部的N+层,在绒面结构上的正电极,在硅衬底背面的背面SiO2层,在SiO2层背面的背面氮化硅钝化层,在背面氮化硅钝化层背面的铝硅合金层,以及位于铝硅合金层背面的背电极,其特征在于,在绒面结构上表面从下往上依次具有正面SiO2层和正面氮化硅钝化层,所述正电极穿过正面氮化硅钝化层、正面SiO2层和绒面结构而进入N+层中;在硅衬底和背面SiO2层之间还具有P+层;所述背面SiO2层包括从上到下还依次堆叠的第一SiO2层和第二SiO2层;第一背电极穿过铝硅合金层进入到背面氮化硅钝化层中;所述第一SiO2层的厚度小于或等于所述第二SiO2层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的