[实用新型]砷磷化铝镓铟发光二极管有效
| 申请号： | 201621414656.9 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN206271744U | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 丁国建;刘佩;陈宇;张业民;罗惠英 | 申请（专利权）人： | 天津中环新光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/26;H01L33/14;H01L33/06 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司12203 | 代理人： | 高凤荣 |
| 地址： | 300385 天津市西*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种砷磷化铝镓铟发光二极管，设有砷化镓(GaAs)衬底，砷化镓(GaAs)衬底上设有超晶格分布布拉格反射层(DBR)，分布布拉格反射层(DBR)上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源层,多量子阱有源层上设有p型限制层，p型限制层上设有p型磷化镓(GaP)窗口层，其中，分布布拉格反射层(DBR)是由砷化铝(AlAs)和多层砷化镓、砷化铝(GaAs/AlAs)m超晶格结构组成的[AlAs/(GaAs/AlAs)m]n周期性结构。通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。本实用新型不仅大幅降低分布布拉格反射层的串电阻，改善了反射光谱的特性；而且，还改善了发光二极管的工作电压，增加了光提取效率，提高了发光二极管的亮度和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 铝镓铟 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种砷磷化铝镓铟发光二极管，其特征在于：设有：砷化镓(GaAs)衬底，砷化镓(GaAs)衬底上设有超晶格分布布拉格反射层(DBR)，分布布拉格反射层(DBR)上设有n型限制层，n型限制层上设有构成发光二极管的核心发光区域的多量子阱有源层,多量子阱有源层上设有p型限制层，p型限制层上设有p型磷化镓(GaP)窗口层，其中，分布布拉格反射层(DBR)为由砷化铝(AlAs)和多层砷化镓、砷化铝(GaAs/AlAs)m超晶格结构组成的[AlAs/(GaAs/AlAs)m]n周期性结构；通过上述层结构的相互连接构成一发光二极管结构。
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