[实用新型]一种抗噪声的带隙基准电路结构

摘要

本实用新型公开了一种抗噪声的带隙基准电路结构，包括输入电压滤波电路、PTAT带隙基准电压产生电路和基准电压输出电路。所述滤波电路的输入端连接电源电压，所述滤波电路输出端输出滤波电压，所述滤波电路的输出端连接PTAT带隙基准电压产生电路的输入端，所述PTAT带隙基准电压产生电路的输出端连接基准电压输出电路，先通过滤波电路将电源电路的噪声波动去除，然后将滤波后的电压作为PTAT带隙基准的工作电压，使得在较高的电压噪声情况下仍有良好的基准电压输出，在基准电压产生电路中增加滤波电容，确保基准端电压的稳定，通过基准电压输出电路对基准电压的波动做进一步滤波处理，保证电源地出现噪声的情况下输出基准电压的稳定。

主权项

一种抗噪声的带隙基准电路结构，其特征在于，其包括输入电压滤波电路、PTAT带隙基准电压产生电路和基准电压输出电路，所述滤波电路的输入端连接电源电压，所述滤波电路输出端输出滤波电压，所述滤波电路的输出端连接PTAT带隙基准电压产生电路的输入端，所述PTAT带隙基准电压产生电路的输出端连接基准电压输出电路，所述PTAT带隙基准电压产生电路包括运算放大器、第二PMOS管、第三PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一双极型晶体管、第二双极型晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第三滤波电容，所述第二双极型晶体管由n个并列的双极型晶体管单元组成，所述第二PMOS管和第三PMOS管的源极和衬底均连接滤波电压，所述第二PMOS管和第三PMOS管的漏极分别连接第五PMOS管和第六PMOS管的源极，所述第二PMOS管和第三PMOS管的衬底分别与第五PMOS管和第六PMOS管的衬底连接，所述第五PMOS管和第六PMOS管的栅极连接偏置电压，所述第五PMOS管的漏极连接运算放大器的反相输入端，所述第六PMOS管的漏极连接运算放大器的正相输入端，所述运算放大器工作电压由滤波电压提供，所述运算放大器的输出端分别连接第二PMOS管和第三PMOS管的栅极，所述第五PMOS管的漏极还与第一双极型晶体管的发射极连接，所述第一双极型晶体管的基极和集电极均连接电源地，所述第三电阻的一端与第一双极型晶体管的发射极连接、另一端接地，所述第三滤波电容的一端与第一双极型晶体管的发射极连接、另一端接地，所述第六PMOS管的漏极还通过第一电阻连接到第二双极型晶体管的发射极，所述第二双极型晶体管的基极和集电极均连接电源地，所述第二电阻的一端连接第六PMOS管的漏极、另一端连接电源地；所述基准电压输出电路包括第四PMOS管、第七PMOS管、第六电阻和第四滤波电容，所述第四PMOS管由k个并列的PMOS管单元组成，所述第四PMOS管的源极和衬底均连接滤波电压，所述第四PMOS管的栅极连接所述运算放大器的输出端，所述第四PMOS管的漏极连接第七PMOS管的源极，所述第七PMOS管的衬底连接第四PMOS管的衬底，所述第七PMOS管的栅极连接偏置电压，所述第七PMOS管的漏极输出基准电压，所述第七PMOS管的漏极通过第六电阻连接电源地，所述第四滤波电容与第六电阻并联。