[实用新型]一种改进的半导体制冷器有效
| 申请号： | 201621424649.7 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN206387140U | 公开（公告）日： | 2017-08-08 |
| 发明（设计）人： | 梁永诒 | 申请（专利权）人： | 佛山市顺德区奥达信电器有限公司 |
| 主分类号： | F25B21/02 | 分类号： | F25B21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 刘孟斌 |
| 地址： | 528300 广东省佛*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开一种改进的半导体制冷器，包括半导体制冷片，半导体制冷片由上基板和下基板，以及阵列设置在上基板和下基板之间的多组P‑N结半导体组成，所述上基板和下基板的边缘处按设置有密封环绕层，上基板和下基板之间的密封环绕层内设置有真空绝缘区域，多组P‑N结半导体设置在真空绝缘区域内，增加真空绝缘区域能减少半导体制冷片的上基板和下基板通过空气互相传递热量，使制冷片的导热更加稳定，使半导体制冷片冷热端的温度差更大，提高半导体制冷片的制冷效果和制冷速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 半导体 制冷 | ||
【主权项】：
一种改进的半导体制冷器，包括半导体制冷片（1），半导体制冷片（1）由上基板（101）和下基板（102），以及阵列设置在上基板（101）和下基板（102）之间的多组P‑N结半导体（103）组成，其特征在于：所述上基板（101）和下基板（102）的边缘处按设置有密封环绕层（2），上基板（101）和下基板（102）之间的密封环绕层（2）内设置有真空绝缘区域（3），多组P‑N结半导体（103）设置在真空绝缘区域（3）内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山市顺德区奥达信电器有限公司，未经佛山市顺德区奥达信电器有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201621424649.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种空调系统及空调器
- 下一篇：一种组合型双级蒸汽热泵系统
