[实用新型]一种深紫外LED封装器件有效
| 申请号： | 201621447160.1 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN206639811U | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 万垂铭;曾照明;姜志荣;朱文敏;李真真;侯宇;肖国伟 | 申请（专利权）人： | 广东晶科电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/56;H01L33/58;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司44100 | 代理人： | 罗毅萍 |
| 地址： | 511458 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种深紫外LED封装器件，包括有金属基板、深紫外芯片、光学元件、中间绝缘层和第一金属共晶键合层；所述金属基板的正极区域和负极区域通过中间绝缘层分隔；深紫外芯片固定于金属基板上，且深紫外芯片与金属基板的正极区域、负极区域电连接；光学元件通过第一金属共晶键合层固定于金属基板上，光学元件将深紫外芯片完全包裹；还包括有SiO2绝缘层，其覆盖于中间绝缘层的内表面。本实用新型所述的深紫外LED封装器件，不仅发光功率高，散热性佳，产品的可靠性及使用寿命得以显著提高，而且封装结构简单，有利于降低制备成本；对于其制备方法，工艺简单易行，适合流水线工作，制备效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 led 封装 器件 | ||
【主权项】：
一种深紫外LED封装器件，其特征在于：包括有金属基板、深紫外芯片、光学元件、中间绝缘层和第一金属共晶键合层；所述金属基板的正极区域和负极区域通过所述中间绝缘层分隔；所述深紫外芯片固定于所述金属基板上，且所述深紫外芯片与所述金属基板的正极区域、负极区域电连接；所述光学元件通过所述第一金属共晶键合层固定于所述金属基板上，所述光学元件将所述深紫外芯片完全包裹。
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