[实用新型]显示面板及显示装置有效
| 申请号： | 201621449013.8 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN206471332U | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 袁波;刘玉成;高胜;徐琳 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L27/12;H01L29/786;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种显示面板，具有设置在同一个像素单元内的硅薄膜晶体管、氧化物半导体晶体管以及多个绝缘层，所述硅薄膜晶体管包括硅薄膜半导体层、第一栅极、第一源极和第一漏极；所述氧化物半导体晶体管包括第二栅极、氧化物半导体层、第二源极和第二漏极，其中，所述显示面板还包括氢牺牲层，所述氢牺牲层用于拦截游离至所述氧化物半导体晶体管的氧化物半导体层的氢。本实用新型的显示面板能提高了氧化物半导体晶体管的稳定性能。本实用新型还涉及一种显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
一种显示面板，其特征在于，具有设置在同一个像素单元内的硅薄膜晶体管(10)、氧化物半导体晶体管(20)以及多个绝缘层，所述硅薄膜晶体管(10)包括硅薄膜半导体层(110)、第一栅极(141)、第一源极(181)和第一漏极(182)；所述氧化物半导体晶体管(20)包括第二栅极(142)、氧化物半导体层(170)、第二源极(183)和第二漏极(184)，其中，所述显示面板还包括氢牺牲层(130)，所述氢牺牲层(130)用于拦截游离至所述氧化物半导体晶体管(20)的氧化物半导体层(170)的氢。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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