[实用新型]图像传感器有效
| 申请号： | 201621452509.0 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN206471331U | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;乔劲轩 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种图像传感器，包括阵列分布于半导体衬底中的多个像素单元，每个像素单元包括复位晶体管，所述复位晶体管的源极连接选择电压；源跟随晶体管，所述源跟随晶体管的漏极连接工作电压；所述半导体衬底连接负电压。本实用新型中，能够提高源跟随晶体管的阈值电压，降低源跟随晶体管漏极所需的工作电压，从而降低图像传感器的电源噪声。此外，源跟随晶体管的沟道采用埋沟道，进一步提高源跟随晶体管的阈值电压，从而降低源跟随晶体管漏极所需的工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，其特征在于，包括：阵列分布于半导体衬底中的多个像素单元，每个像素单元包括：复位晶体管，所述复位晶体管的源极连接选择电压；源跟随晶体管，所述源跟随晶体管的漏极连接工作电压；所述半导体衬底连接负电压。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
