[实用新型]一种抗硫化厚膜晶片电阻有效

专利信息
申请号: 201621455041.0 申请日: 2016-12-28
公开(公告)号: CN206401111U 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 黄正信;陈庆良;丁良富;姚元钦;魏效振;顾明德 申请(专利权)人: 丽智电子(昆山)有限公司
主分类号: H01C1/142 分类号: H01C1/142;H01C1/148;H01C1/02
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司32224 代理人: 薛海霞,董建林
地址: 215300 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种抗硫化厚膜晶片电阻,属于晶片电阻技术领域,包括氧化铝陶瓷本体,所述氧化铝陶瓷本体下表面的两侧分别印刷背面电极,上表面的两侧分别印刷正面电极,且在两个正面电极之间的氧化铝陶瓷本体上面印刷电阻阻体,所述电阻阻体的上表面设置有第一保护层,所述电阻阻体上设置有镭切线,所述正面电极上表面设置有抗硫化层,抗硫化层用于保护正面电极,从而达到电阻的抗硫化性能,所述第一保护层的上表面设置有第二保护层,所述第二保护层的上表面设置有字码层。本实用新型能够使产品具备优异的抗硫化性能,给这一抗硫化晶片电阻带来更更广泛的应用。
搜索关键词: 一种 硫化 晶片 电阻
【主权项】:
一种抗硫化厚膜晶片电阻,其特征在于:包括氧化铝陶瓷本体(01),所述氧化铝陶瓷本体(01)下表面的两侧分别印刷背面电极(02),上表面的两侧分别印刷正面电极(03),且在两个正面电极(03)之间的氧化铝陶瓷本体(01)上面印刷电阻阻体(04),所述电阻阻体(04)的上表面设置有第一保护层(05),所述电阻阻体(04)上设置有镭切线(06),所述正面电极(03)上表面设置有抗硫化层(07),抗硫化层(07)用于保护正面电极(03)。
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