[实用新型]提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置有效
申请号: | 201621461715.8 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN206332041U | 公开(公告)日: | 2017-07-14 |
发明(设计)人: | 钱小芳 | 申请(专利权)人: | 中建材浚鑫科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02;C30B33/10 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司32102 | 代理人: | 姚姣阳 |
地址: | 214400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型提供了提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置,包括一容纳有恒温水的恒温槽及设置于恒温槽内的传输滚轮,所述传输滚轮置于所述恒温水下,待刻蚀硅片置于所述传输滚轮上,所述传输滚轮转动,带动所述待刻蚀硅片运动,所述装置还包括一与所述恒温槽的出口端联通的恒温风干机构。本实用新型的有益效果体现在将需要刻蚀的多晶硅片预先保持在温度为8‑10℃,与刻蚀槽温度相当,可以大大提高多晶硅片绒面的片内均匀性与片间均匀性,降低电池片的色差片比例,提高电池片的合格率。 | ||
搜索关键词: | 提高 多晶 硅片 刻蚀 均匀 预处理 装置 | ||
【主权项】:
提高多晶硅片刻蚀绒面均匀性的预处理装置,其特征在于:包括一容纳有恒温水的恒温槽及设置于恒温槽内的传输滚轮,所述传输滚轮置于所述恒温水下,待刻蚀硅片置于所述传输滚轮上,所述传输滚轮转动,带动所述待刻蚀硅片运动,所述装置还包括一与所述恒温槽的出口端联通的恒温风干机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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