[实用新型]3G射频功率放大器

摘要

本实用新型涉及一种3G射频功率放大器模块，其包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接，第一级放大结构的输入匹配电路、第二级放大结构的输出匹配电路以及所述级间匹配电路均不采用SMD电容电感，能有效提高封装产能，降低封装成本，提高封装的适应性，安全可靠。

主权项

一种3G射频功率放大器，其特征是：包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；所述输入匹配电路包括与射频放大管T1基极端连接的电阻R1，电阻R1的另一端与芯片电容C1的一端连接，芯片电容C1的另一端通过基板绕线电感L1接地；级间匹配电路包括芯片电容C4、基板绕线电感L2、芯片电容C3以及基板绕线电感RFC1，芯片电容C4的一端与射频放大管T2的基极端连接，芯片电容C4的另一端与基板绕线电感L2的一端以及芯片电容C3的一端连接，基板绕线电感L2的另一端接地，芯片电容C3的另一端与射频放大管T1的集电极端以及基板绕线电感RFC1的一端连接，基板绕线电感RFC1的另一端与电源VCC2连接；输出匹配电路包括芯片电容C5、基板绕线电感RFC2以及基板绕线电感L3，芯片电容C5的一端与射频放大管T2的集电极端以及基板绕线电感RFC2的一端连接，基板绕线电感RFC2的另一端与电源VCC2连接，芯片电容C5的另一端与基板绕线电感L3的一端连接，基板绕线电感L3的另一端接地，芯片电容C5与基板绕线电感L3相连的一端形成放大输出端OUT。