[实用新型]基于绝缘体硅基片的薄膜体声波谐振器及通信器件

摘要

本实用新型提出一种基于绝缘体硅基片的薄膜体声波谐振器(FBAR)及通信器件。该声波谐振器包括硅衬底、二氧化硅薄膜、压电薄膜换能器堆叠结构，压电薄膜换能器堆叠结构从上到下依次包括顶电极、压电层、底电极；所述压电薄膜换能器堆叠结构置于所述绝缘体硅基片的空腔中，所述压电薄膜换能器与绝缘体硅基片之间还包括键合层；所述压电薄膜换能器堆叠结构和绝缘体硅基片共同形成封闭空腔结构。相比于其它薄膜体声波谐振器结构，本实用新型采用预设的空腔结构，有利于减少传统空腔刻蚀过程中形成的粘连和机械结构断裂、损伤，能有效地提高器件生产良率，适合批量生产。由于预制的空腔宽度大于压电薄膜换能器堆叠结构的水平宽度，该设计亦能对薄膜体声波谐振器的横向杂波有很好的抑制作用，从而提高器件性能。

主权项

一种基于绝缘体硅基片的薄膜体声波谐振器，其特征在于：所述谐振器包括带空腔的绝缘体硅基片和压电薄膜换能器堆叠结构；所述压电薄膜换能器堆叠结构包括顶电极、压电材料和底电极，其中顶电极、压电材料、底电极依次堆叠，所述压电薄膜换能器堆叠结构置于所述绝缘体硅基片的空腔中，所述压电薄膜换能器与绝缘体硅基片之间还包括键合层；所述压电薄膜换能器堆叠结构和绝缘体硅基片共同形成封闭空腔结构。