[实用新型]一种半导体激光器

摘要

本实用新型提供了一种半导体激光器，该方案包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；该方案在低光损耗的n型部分设置一个非对称的厚波导，并在激光器芯片后腔面蒸镀高反膜，前腔面蒸镀抗反射膜，然后在出光前腔面的第二波导处刻蚀形成布拉格反射镜，利用包含多量子阱有源区的第二波导与第一波导的耦合，实现第一波导处的出射光斑的圆对称分布。

主权项

一种半导体激光器，其特征是：包括有从下至上依次设置的n型衬底、n型第一下光学限制层、n型第一波导层、n型第二下光学限制层、n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层；所述n型第一波导层的平面尺寸大于n型第二波导层的平面尺寸；所述n型衬底、n型第一下光学限制层和n型第一波导层的平面尺寸相同；所述n型第二下波导层、多量子阱有源区、p型第二上波导层、p型第二上光学限制层和p型接触层的平面尺寸相同；所述n型第二下光学限制层下端面的平面尺寸与n型第一波导层的平面尺寸相同；所述n型第二下光学限制层上端面的平面尺寸与n型第二下波导层的平面尺寸相同。