[实用新型]一种MOS器件HCI可靠性测试结构有效
| 申请号： | 201621492931.9 | 申请日： | 2016-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN206348429U | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 陈文君;宋永梁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种MOS器件HCI可靠性测试结构，包括第一MOS器件、第二MOS器件、第三MOS器件以及五个测试焊垫，其中，所述第一MOS器件的衬底和源极、第二MOS器件的衬底和源极以及第三MOS器件的衬底和源极均连接同一测试焊垫，所述第一MOS器件的栅极与第三MOS器件的栅极均连接同一测试焊垫，所述第二MOS器件的栅极与第三MOS器件的漏极均连接同一测试焊垫，所述第一MOS器件的漏极和第二MOS器件的漏极分别连接一测试焊垫。实用新型的测试结构将MOS器件开启状态和关闭状态下的HCI可靠性测试在同一测试结构上完成，节约了测试时间、提高了测试效率、降低了测试成本且该测试结构的适用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 hci 可靠性 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种MOS器件HCI可靠性测试结构，其特征在于，包括第一MOS器件、第二MOS器件、第三MOS器件以及五个测试焊垫，其中，所述第一MOS器件的衬底和源极、所述第二MOS器件的衬底和源极以及所述第三MOS器件的衬底和源极均连接同一测试焊垫，所述第一MOS器件的栅极与所述第三MOS器件的栅极均连接同一测试焊垫，所述第二MOS器件的栅极与所述第三MOS器件的漏极均连接同一测试焊垫，所述第一MOS器件的漏极和所述第二MOS器件的漏极分别连接一测试焊垫。
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