[发明专利]控制等离子体处理室中的蚀刻工艺的方位角均匀性有效
| 申请号： | 201680001356.4 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106463324B | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 弗拉迪米尔·纳戈尔尼 | 申请（专利权）人： | 马特森技术有限公司;北京屹唐半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;李春晖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于控制等离子体处理室中的蚀刻工艺的方位角均匀性的装置、系统和方法。在一个实施方式中，等离子体处理装置可以包括等离子体处理室和布置在所述等离子体处理室之上的RF罩。介电窗可以将等离子体处理室和RF罩分开。装置可以包括布置在介电窗之上的等离子体生成线圈。等离子体生成线圈能够进行操作以在被激励时在等离子体处理室中生成电感耦合等离子体。装置还包括布置在RF罩内接近等离子体生成线圈的至少一部分的导电表面。导电表面被布置成在等离子体生成线圈被激励时在导电表面与等离子体生成线圈之间生成方位角可变电感耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 等离子体 处理 中的 蚀刻 工艺 方位角 均匀 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，包括：等离子体处理室；RF罩，其被布置在所述等离子体处理室之上；介电窗，其将所述等离子体处理室和所述RF罩分开；等离子体生成线圈，其被布置在所述介电窗之上，所述等离子体生成线圈能够进行操作以在被激励时在所述等离子体处理室中生成电感耦合等离子体；以及导电表面，其被布置在所述RF罩内接近所述等离子体生成线圈的至少一部分，所述导电表面被接地；其中，所述RF罩被接地；并且所述导电表面为被配置成减少所述等离子体生成线圈与所述RF罩中的至少一个其他元件之间的通信的RF屏蔽，所述导电表面被布置成在所述等离子体生成线圈被激励时在所述导电表面与所述等离子体生成线圈之间生成方位角可变电感耦合。
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