[发明专利]半导体激光装置在审
| 申请号： | 201680001398.8 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN108028510A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 金定洙 | 申请（专利权）人： | 光速株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S3/063 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明在要求突发模式的如NG‑PON2等的TWDM‑PON网中，在要求选择非常窄的波长的半导体激光制作工艺中，在一个激光二极管芯片分别形成振荡波长不同的2个的激光导波管来改善芯片的波长产出率，在某一激光导波管参与通信时，向注入于参与通信的突发模式动作的导波管激光的电流的变化引起的波长变化，调制并注入向未参与通信的导波管注入的电流，进而使由参与通信的激光导波管振荡的波长稳定，从而能够进行DWDM级的突发模式通信。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光装置，包括在一个半导体激光二极管芯片独立运行的至少两个的激光导波管，其特征在于，包括：多个光栅，具有相互不同的周期；及至少两个激光导波管，形成在各个所述光栅上。
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