[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

在电路部中设置有在深度方向上贯穿衬底正面侧的p^‑型基区(21)且包围MOSFET(20)周围的p⁺型扩散区(24)。在与电路部相同基板上的保护元件部中，在衬底正面侧的p^‑型扩散区(31)的内部选择性地设置有p⁺⁺型接触区(32)、n⁺型扩散区(33)和p⁺型扩散区(34)。p⁺型扩散区(34)在p^‑型扩散区(31)的外周且在深度方向上贯穿p^‑型扩散区(31)。n⁺型源区(22)、p⁺型扩散区(24)、p⁺⁺型接触区(32)和n⁺型扩散区(33)连接到GND端子。基板背面连接到VCC端子。保护元件部的寄生双极型元件(T1)的回跳开始电压(snap‑back starting voltage)比电路部的寄生双极型元件(T2)的回跳开始电压低。据此，能够实现微型化、浪涌电阻的提高和成本的控制。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第二导电型的第一半导体区，其选择性地设置于第一导电型的半导体基板的第一主面的表面层；半导体元件的元件结构，其设置于所述第一半导体区内；第一导电型的第二半导体区，其选择性地设置于所述第一半导体区的内部，并构成所述半导体元件的元件结构；第二导电型的第三半导体区，其在深度方向上贯穿所述第一半导体区，以所述第一半导体区的深度以上的深度且包围所述半导体元件的元件结构的方式被选择性地设置，并且杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高；第二导电型的第四半导体区，其以与所述第一半导体区分离的方式选择性地设置于所述半导体基板的第一主面的表面层；第一导电型的第五半导体区，其选择性地设置于所述第四半导体区的内部；第二导电型的第六半导体区，其在深度方向上贯穿所述第四半导体区，且以所述第四半导体区的深度以上的深度被选择性地设置，并且杂质浓度比所述第四半导体区的杂质浓度高；第一电极，其电连接到所述第二半导体区、所述第三半导体区、所述第四半导体区和所述第五半导体区；以及第二电极，其连接到所述半导体基板的第二主面。