[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680002449.9 | 申请日： | 2016-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN106605300B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 网秀夫 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L25/18;H02M7/48 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够降低电感和感应磁场的影响，能够使大电流从一个器件流向其它器件的半导体装置。所述半导体装置具备第一区域的第一器件和第二区域的第二器件以及将第一器件和第二器件电连接的连接导体，对于连接导体而言，该连接导体中所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分邻接。连接导体使电流从第一器件流向第二器件，并在连接导体的至少一部分中，使电流沿从第二器件朝向第一器件的方向流动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一区域的多个第一器件；第二区域的1个以上的第二器件；以及将所述第一器件和所述第二器件电连接的连接导体，在所述连接导体中，该连接导体所包括的相互反向的电流路径彼此的至少一部分邻接，且所述连接导体分别将多个所述第一器件并联连接，所述连接导体具有第一电流路径、第二电流路径、第三电流路径和第四电流路径，所述第一电流路径在所述第一器件侧朝向远离所述第二器件的方向，所述第二电流路径从所述第一电流路径折回并朝向接近于所述第二器件的方向，所述第三电流路径在所述第二器件侧朝向远离所述第一器件的方向，所述第四电流路径从所述第三电流路径折回并朝向接近于所述第一器件的方向。
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