[发明专利]高频溅射装置及溅射方法有效

专利信息
申请号: 201680002499.7 申请日: 2016-03-15
公开(公告)号: CN106795625B 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 藤井佳词;中村真也 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/40;C23C14/50;H05H1/46
代理公司: 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 代理人: 齐永红
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种可尽量抑制处理基板上的反溅射量并高效成膜的高频溅射装置。在真空中向靶(21)施加高频电力并对处理基板(W)的一面(Wa)进行成膜处理的本发明的高频溅射装置(SM),其具有在处理基板的一面开放且电绝缘的状态下保持处理基板的台架(4)。台架具有位于该处理基板的保持面的凹部(42),在以处理基板保持为处理基板的外周边部与台架的保持面(41)抵接时处理基板的另一面和凹部的轮廓所限定的空间(43)内,设置可在接近处理基板的方向或远离处理基板的方向上自由移动的与地线连接的可移动体(44)。
搜索关键词: 高频 溅射 装置 方法
【主权项】:
1.一种高频溅射装置,是在真空中向靶施加高频电力并对处理基板的一面进行成膜处理的高频溅射装置,其具有在处理基板的一面开放且电绝缘的状态下保持处理基板的台架;所述高频溅射装置,其特征在于:台架具有位于该处理基板的保持面的凹部,在以处理基板保持为处理基板的外周边部与台架的保持面抵接时处理基板的另一面和凹部的轮廓所限定的空间内,设置可在接近处理基板的方向或远离处理基板的方向上自由移动的与地线连接的可移动体。
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