[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法

摘要

准备R‑T‑B系烧结磁体原材料和Pr‑Ga合金。烧结磁体原材料含有R：27.5～35.0质量％(R为稀土元素中的至少一种，必包含Nd)、B：0.80～0.99质量％、Ga：0～0.8质量％、M：0～2质量％(M为Cu、Al、Nb、Zr中的至少一种)、剩余部分T(T为过渡金属元素的至少一种，必含有Fe，Fe的10％以下可以被Co置换)和不可避免的杂质。将T的含量(质量％)设为[T]、B的含量(质量％)设为[B]时，满足[T]/55.85＞14[B]/10.8。使烧结磁体原材料表面的至少一部分与Pr‑Ga合金的至少一部分接触，在超过600℃、950℃以下的温度实施第一热处理。在低于第一热处理温度的温度、且450℃以上750℃以下的温度实施第二热处理。

主权项

1.一种R‑T‑B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：准备R‑T‑B系烧结磁体原材料的工序；准备Pr‑Ga合金的工序；使所述R‑T‑B系烧结磁体原材料表面的至少一部分与所述Pr‑Ga合金的至少一部分接触，在真空或者非活性气体气氛中，在超过600℃、950℃以下的温度实施第一热处理的工序；和对于实施了所述第一热处理的R‑T‑B系烧结磁体原材料，在真空或者非活性气体气氛中，在比实施所述第一热处理的工序中所实施的温度更低的温度、且450℃以上750℃以下的温度实施第二热处理的工序，所述R‑T‑B系烧结磁体原材料含有：R：27.5～35.0质量％、B：0.80～0.99质量％、Ga：0～0.8质量％、M：0～2质量％，剩余部分包含T和不可避免的杂质，其中，R为稀土元素中的至少一种且必包含Nd，M为Cu、Al、Nb、Zr的至少一种，T为Fe或者Fe和Co，并且，所述R‑T‑B系烧结磁体原材料具有满足后述不等式(1)的组成：[T]/55.85＞14[B]/10.8    (1)其中，[T]为以质量％示出的T的含量，[B]为以质量％示出的B的含量，所述Pr‑Ga合金中，Pr为Pr‑Ga合金整体的65～97质量％，Pr的20质量％以下可以被Nd置换，Pr的30质量％以下可以被Dy和/或Tb置换，Ga为Pr‑Ga合金整体的3质量％～35质量％，Ga的50质量％以下可以被Cu置换，所述Pr‑Ga合金可以含有不可避免的杂质。