[发明专利]氧化物烧结材料、氧化物烧结材料的制造方法、溅射靶和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680003741.2 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN107001146B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 宫永美纪;绵谷研一;粟田英章 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/00 | 分类号： | C04B35/00;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/363;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结材料，所述氧化物烧结材料包含：第一晶相，所述第一晶相为所述氧化物烧结材料的主要成分并包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相的锌的含量比所述第一晶相的锌的含量高，所述第二晶相包含平均长轴尺寸为3μm以上且50μm以下并且平均长径比为4以上且50以下的粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 烧结 材料 制造 方法 溅射 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种包含铟、钨和锌的氧化物烧结材料，所述氧化物烧结材料包含：第一晶相，所述第一晶相为所述氧化物烧结材料的主要成分并包含方铁锰矿型晶相；和第二晶相，所述第二晶相的锌的含量比所述第一晶相的锌的含量高，所述第二晶相包含平均长轴尺寸为3μm以上且50μm以下并且平均长径比为4以上且50以下的粒子。
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