[发明专利]闪存路径中的耐高速、高电压的电路有效
| 申请号： | 201680004513.7 | 申请日： | 2016-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN107112050B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 波格丹·乔盖斯库;克里斯堤涅·松特;维贾伊·拉加万 | 申请（专利权）人： | 赛普拉斯半导体公司 |
| 主分类号： | G11C14/00 | 分类号： | G11C14/00 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;杨明钊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 电路包括被耦合到非易失性存储器(NVM)单元的第一字线。第一路径包括第一逆变器和晶体管。晶体管被耦合到字线。第一路径被耦合以接收第一输入电压信号。第二路径至少包括被耦合到字线的晶体管。将第二路径的至少一部分嵌入在第一路径内。第二路径被耦合以接收第二输入电压信号。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 路径 中的 高速 电压 电路 | ||
【主权项】：
1.一种分布式字线驱动器电路，包括：字线，所述字线被耦合到非易失性存储器(NVM)单元；第一路径，所述第一路径包括第一逆变器和晶体管，所述晶体管被耦合到所述字线，所述第一路径被耦合以接收第一输入电压信号；以及第二路径，其中所述第二路径的至少一部分被嵌入在所述第一路径内，其中所述第二路径的所述部分包括第二逆变器和被耦合到所述字线的所述晶体管，所述第二路径被耦合以接收第二输入电压信号，其中所述第一输入电压信号是读取所述NVM单元的快速低电压信号，并且其中，所述第二输入电压信号是对所述NVM单元进行编程的慢速高电压信号。
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