[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201680004574.3 | 申请日： | 2016-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN107112358B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置，具备：半导体基板；栅极沟槽部，其形成于半导体基板的表面；虚设沟槽部，其形成于半导体基板的表面；以及第一表面侧电极，其形成于半导体基板的表面的上方，且包含金属；栅极沟槽部具有：栅极沟槽，其形成于半导体基板的表面；栅极导电部，其形成于栅极沟槽的内部；以及栅极绝缘部，其在栅极沟槽的内部形成于栅极导电部的上方，且将栅极导电部与第一表面侧电极绝缘；虚设沟槽部具有：虚设沟槽，其形成于半导体基板的表面；以及虚设导电部，其形成于虚设沟槽的内部，且与第一表面侧电极接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：半导体基板；栅极沟槽部，其形成于所述半导体基板的表面；虚设沟槽部，其形成于所述半导体基板的表面；以及第一表面侧电极，其形成于所述半导体基板的表面的上方，且包含金属；所述栅极沟槽部具有：栅极沟槽，其形成于所述半导体基板的表面；栅极导电部，其形成于所述栅极沟槽的内部；以及栅极绝缘部，其在所述栅极沟槽的内部形成于所述栅极导电部的上方，且将所述栅极导电部与所述第一表面侧电极绝缘；所述虚设沟槽部具有：虚设沟槽，其形成于所述半导体基板的表面；以及虚设导电部，其形成于所述虚设沟槽的内部，且与所述第一表面侧电极接触。
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