[发明专利]钽溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 201680004783.8 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN107109634B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 永津光太郎;仙田真一郎 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22C27/02;C22F1/00;C22F1/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种钽溅射靶，其中，使用背散射电子衍射法观察作为与靶的溅射面垂直的截面的轧制面法线方向ND时，{100}面沿ND取向的晶粒的面积率为30％以上。本发明的课题在于提供在高功率溅射情况下能够适当控制成膜速度的钽溅射靶。在使用这样的溅射靶进行溅射成膜时，即使对于微细布线而言，也能够形成膜厚均匀性优良的薄膜，并且能够提高薄膜形成工艺的生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种钽溅射靶，其特征在于，使用背散射电子衍射法观察作为与靶的溅射面垂直的截面的轧制面法线方向ND时，{100}面沿ND取向的晶粒的面积率为30％以上。
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