[发明专利]Ni－Cu系磁记录介质的籽晶层用合金和溅射靶材及磁记录介质有效
| 申请号： | 201680005033.2 | 申请日： | 2016-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN107251139B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 长谷川浩之;新村梦树 | 申请（专利权）人： | 山阳特殊制钢株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/738 | 分类号： | G11B5/738;G11B5/84;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张玉玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题在于，提供一种作为垂直磁记录介质中的籽晶层使用的Ni－Cu系磁记录介质的籽晶层用合金和溅射靶材，为了解决这一课题，提供一种磁记录介质的籽晶层用Ni－Cu－M合金以及使用了该合金的溅射靶材和磁记录介质，在该磁记录介质的籽晶层用Ni－Cu－M合金中，其特征在于，含有Cu为1～50at％，含有2～20at％的从W、Mo、Ta、Cr、V、Nb中选择的一种或两种以上的M1元素，0～10at％的从Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、P、C、Ru中选择的一种或两种以上的M3元素作为M元素，余量由Ni和不可避免的杂质构成。 | ||
| 搜索关键词： | ni cu 记录 介质 籽晶 合金 溅射 | ||
【主权项】：
一种磁记录介质的籽晶层用Ni－Cu－M合金，其特征在于，含有Cu为1～50at％，含有2～20at％的从W、Mo、Ta、Cr、V、Nb中选择的一种或两种以上的M1元素，0～10at％的从Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Zr、Ti、Hf、B、P、C、Ru中选择的一种或两种以上的M3元素作为M元素，余量由Ni和不可避免的杂质构成。
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